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銅銦鎵硒柔性CIGS薄膜太陽能電池是三元化合物CIS基礎(chǔ)上摻入Ga而形成四元化合物。對Cu、In、Ga疊層膜進(jìn)行硒化時(shí)，膜的成分為CuIn0.6Ga0.4Se2。

分子束外延（MBE）是一種可在原子尺度上精確控制外延厚度、摻雜和界面平整度的超薄層薄膜制備技術(shù)，是在一定的單晶體材料襯底上，沿著襯底的某個(gè)指數(shù)晶面向外延伸生長一層單晶薄膜。外延單晶薄膜在純度和性能上有比體單晶材料有明顯的改善，而且用外延術(shù)可以制造很難用其他方法制造的大面積或特殊材料的單晶薄膜。

磁控濺射室可鍍有效尺寸≦Φ50㎜襯底一片，基片加熱溫度：室溫～1000℃，旋轉(zhuǎn)速度1～20轉(zhuǎn)/分。靶軸與真空室軸夾角70o靶面到襯底距離±50mm在線可調(diào)，偏擺可調(diào)±15°。極限真空：2×10-6Pa、恢復(fù)真空7×10-4Pa：30～40分鐘（充干燥氮?dú)猓?

該設(shè)備是一種多功能磁控濺射鍍膜設(shè)備，適用于鍍制各種單層膜、多層膜及攙雜膜系。可鍍金屬、合金、化合物、半導(dǎo)體、陶瓷膜(需配射頻電源)、介質(zhì)復(fù)合膜和其它化學(xué)反應(yīng)膜。

1200L/S分子泵、KF40高真空截止閥、KF40波紋管管路、KF40不銹鋼三通、KF40真空充氣閥、高低真空計(jì)、CF200超高真空氣動(dòng)閘板閥一臺(tái)、CF35超高真空氣動(dòng)角閥一支以及9L/S機(jī)械泵機(jī)組一套；

蒸鍍室是以電阻加熱的方式實(shí)現(xiàn)蒸發(fā)鍍膜功能的，它是在高真空條件下，通過加熱材料的方法，在需鍍襯底上蒸鍍各種金屬單層或多層膜，適用于實(shí)驗(yàn)室制備金屬、氧化物、介質(zhì)、掃描電鏡制樣等，也可用作教學(xué)及生產(chǎn)線前期工藝試驗(yàn)等，整套設(shè)備操作簡便，綜合功能多，擴(kuò)展空間大，適合及滿足院校的教學(xué)與科研。本設(shè)備由于采用了超高真空密封技術(shù)，極限真空高，恢復(fù)工作真空時(shí)間短；整機(jī)主要采用金屬密封技術(shù)及超高真空閥門，前后開門采用氟膠圈，真空管路用不銹鋼金屬波紋管路，避免了傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)帶來的安裝維護(hù)困難的問題。

公司擁有真空機(jī)械加工廠，有數(shù)控車床，數(shù)控剪板機(jī)，數(shù)控折彎機(jī)，氬弧焊機(jī)，其它如超高真空檢漏儀、超聲波清洗機(jī)等，研發(fā)制造的真空產(chǎn)品能夠滿足客戶要求。

平臺(tái)用途：該平臺(tái)是一種超高多靶磁控濺射沉積—多功能電子束—分子束聯(lián)合蒸發(fā)鍍膜實(shí)驗(yàn)平臺(tái)，用磁控濺射的方法制備孤立分散的量子點(diǎn)和納米晶顆粒等薄膜、半導(dǎo)體薄膜及Fe和Cu等金屬薄膜，用超高真空電子束—分子束聯(lián)合蒸發(fā)鍍膜的方法制備Ti、Al和Cu等金屬電極膜及化合物、半導(dǎo)體薄膜，同時(shí)還可以用于基片和薄膜的等離子清洗退火。