高真空多靶磁控濺射鍍膜系統(tǒng) 性能參數(shù)

　　1、本臺(tái)設(shè)備主要是以磁控濺射的方式實(shí)現(xiàn)鍍膜功能的，整套設(shè)備操作簡(jiǎn)便，綜合功能多，擴(kuò)展空間大。

　　2、系統(tǒng)主要由四靶濺射室，MJCB-200型磁控濺射靶,樣品轉(zhuǎn)臺(tái)、真空系統(tǒng)、真空測(cè)量系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、電控系統(tǒng),直流電源、和計(jì)算機(jī)控制鍍層系統(tǒng)等組成。

　　3、 濺射室：為約Ф600mm×500mm不銹鋼圓柱形腔體。濺射室前開(kāi)門(mén)密封方式，外表采用噴丸和電解拋光工藝處理，上蓋密封方式并電動(dòng)提升，真空室內(nèi)設(shè)有不銹鋼防污板。前面和側(cè)面各裝有一個(gè)觀察窗CF100,一個(gè)四芯引線等。下面裝有4個(gè)MJCB-200型磁控濺射靶，靶基距可調(diào),該磁控濺射靶可在0.1Pa-1Pa之間真空度長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定起輝，無(wú)滅弧現(xiàn)象，適應(yīng)于Mo、Si、Ru等金屬和半導(dǎo)體材料的鍍膜; 每塊靶有獨(dú)立的勻氣環(huán)，下面裝有4個(gè)RF兼容磁控靶，四靶之間裝有隔板防止交叉污染。CF150備用法蘭，二個(gè)進(jìn)氣閥法蘭等。真空室可內(nèi)烘烤100～150℃，極限真空5×10-5Pa。

　　4、樣品臺(tái)：一個(gè)樣品位，樣品直徑220mm，可自轉(zhuǎn)，可公轉(zhuǎn)和可升降，靶基距可調(diào)；公轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)速可隨位置自動(dòng)調(diào)節(jié)（可編程）也可在設(shè)定靶位下停留設(shè)定時(shí)間。樣品臺(tái)公轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速0-5rpm，公轉(zhuǎn)位置控制精度0.1?；自轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速0-500rpm，樣品臺(tái)可調(diào)節(jié)高度：50-150mm；承重不超過(guò)40kg。

　　5、MJCK-600高真空磁控濺射鍍膜系統(tǒng)現(xiàn)貨價(jià)：70萬(wàn)元人民幣。