高真空磁控濺射鍍膜系統(tǒng)性能參數(shù)

　　1、基片尺寸：≥110×110mm，基片加擋板。

　　2、基片臺：基片臺旋轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速0-25rpm連續(xù)可調(diào)，光控定位；

　　基片翻轉(zhuǎn)角度可達180度。

　　襯底加熱：采用真空專用加熱器，室溫～1300℃可調(diào)可控；

　　襯底冷卻：基片襯底可水冷冷卻；

　　離子清洗；采用射頻離子源對基片表面進行“清洗/活化”；

　　3、基片架轉(zhuǎn)速0～25轉(zhuǎn)/分，可控可調(diào)。

　　4、基片架可加熱、可旋轉(zhuǎn)、可翻轉(zhuǎn)、可升降。

　　5、靶面到基片距離60～180mm可調(diào)。

　　6、Ф3英寸圓形平面磁控濺射永磁靶；可鍍鐵磁材料的磁控濺射靶1支，可鍍普通靶材的磁控濺射靶2支；靶材尺寸Ф3英寸。該磁控濺射靶可在0.1Pa-1Pa之間真空度長時間穩(wěn)定起輝，無滅弧現(xiàn)象。

　　7、鍍膜室極限真空：≤5×10-5Pa，抽至 10-4Pa≤20min；。

　　8、速率和膜厚監(jiān)控：石英晶振膜厚儀，在線監(jiān)測蒸發(fā)速率，監(jiān)控膜厚；厚度監(jiān)測范圍：1?～99999?，分辨率1?；速率監(jiān)測范圍：0.1?～99.9? /s，分辨率0.1?；

　　9、磁控濺射靶電源：1 臺1000VA 直流濺射電源； 2臺500VA 射頻電源，頻率13.56MHz。

　　10、氣路系統(tǒng)：兩路工藝氣體MFC 控制，量程范圍為0～20SCCM\0～100SCCM；

　　11、缺水欠壓檢測與保護、強電相序檢測與保護、溫度檢測與保護、真空系統(tǒng)檢測與保護。

　　12、MJCK-600高真空磁控濺射鍍膜系統(tǒng)現(xiàn)貨價：80萬元人民幣。