1、基片尺寸：≥110×110mm，基片加擋板。

　　2、基片臺(tái)：基片臺(tái)旋轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速0-25rpm連續(xù)可調(diào)，光控定位；

　　襯底加熱：采用真空專用加熱器，室溫～1500℃可調(diào)可控；

　　反濺清洗；采用射頻電源對(duì)基片表面進(jìn)行“清洗/活化”；

　　3、基片架轉(zhuǎn)速0～25轉(zhuǎn)/分，可控可調(diào)。

　　4、基片架可加熱、可旋轉(zhuǎn)、可升降。

　　5、靶面到基片距離60～90mm可調(diào)。

　　6、Ф3英寸圓形平面磁控濺射永磁靶；可鍍鐵磁材料的磁控濺射靶1支，可鍍普通靶材的磁控濺射靶1支；靶材尺寸Ф3英寸。

　　7、鍍膜室極限真空：≤5×10-5Pa，抽至 10-4Pa≤20min；。

　　8、速率和膜厚監(jiān)控：石英晶振膜厚儀，在線監(jiān)測(cè)蒸發(fā)速率，監(jiān)控膜厚；厚度監(jiān)測(cè)范圍：1?～99999?，分辨率1?；速率監(jiān)測(cè)范圍：0.1?～99.9? /s，分辨率0.1?；