MJCK550磁控濺射鍍膜設(shè)備樣品臺樣片架可公轉(zhuǎn)，可自轉(zhuǎn)，可升降，基片加熱溫度1300度。超高真空分子束外延室與磁控濺射聯(lián)合實(shí)驗(yàn)平臺系統(tǒng)，左邊數(shù)第一個(gè)第二個(gè)真空室是分子束外延室真空度可達(dá)2X10-7Pa，基片加熱溫度1700度，第三個(gè)是進(jìn)樣室，第四個(gè)是磁控濺射室，磁控濺射室基片加熱溫度1300度